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Sensore piezoelettrico in PVDF

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Sensore in film piezoelettrico PVDF

Appurtenance:
  • Descrizione
  • Caratteristiche principali
  • Struttura del prodotto
  • Curve delle prestazioni chiave
  • Scenari di applicazione tipici
  • Guida alla progettazione dell'interfaccia elettrica
  • Qualità e Certificazione
  • Servizi di personalizzazione

Il sensore a film piezoelettrico VMANX PVDF utilizza un film di fluoruro di polivinilidene (PVDF) ad alta purezza.

Una stabile struttura cristallina della fase beta viene ottenuta mediante processi di stiramento multiasse e polarizzazione ad alta tensione.

Abbinato alla tecnologia di elettrodi stampati con precisione su schermo e all’incapsulamento composito multistrato.

Garantisce elevata sensibilità e ampia risposta in frequenza per la conversione dei segnali elettromeccanici. Adatto al rilevamento dinamico di forze, al monitoraggio delle vibrazioni, alla rilevazione acustica e ad altre applicazioni.

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Parametro VMANX VV-PVDF6866 Unità Condizione di prova
Costante piezoelettrica di deformazione (ds) 20-25 pC/N 25 ℃, 1 Hz
Costante di tensione piezoelettrica (g3s) ≥200 mV·m/N 25 ℃, 100 Hz
Intervallo di risposta di frequenza 0,1 Hz–100 MHz - ±3 dB
Costante dielettrica (ε/ε₀) 11-13 - 1KHz
Densità di capacità 350-400 pF/cm² spessore 44 µm, 1 kHz
Impedenza acustica 2.5-3.0 MRayl Carico idrico
Temperatura di funzionamento -20℃~ +85℃ - Stabilità a lungo termine
Coefficiente piroelettrico ≤35 μC/(m2·K) δT=1 K
Tensione di Rottura ≥1800 V (CC) 25℃, spessore del film 44 μm
Errore di linearità ±1% C.S. Gamma dinamica >120 dB
Strato centrale: film in PVDF da 28/44/110 μm (personalizzabile)
Trattamento di polarizzazione ad alta tensione, contenuto della fase beta ≥80%
Strato elettrodico
Elettrodi stampati su entrambi i lati con pasta d'argento (spessore 5–10 μm)
Trattamento non metallizzato ai bordi (previene cortocircuiti)
Strato di incapsulamento
Strato superiore: film protettivo in poliestere da 12 μm
Strato inferiore: strato adesivo flessibile da 50 μm
Strato opzionale di schermatura EMI (integrazione di rete in rame, sputtering a magnetron)

Caratteristiche di risposta in frequenza: frequenza di taglio a -3 dB ≤ 0,5 Hz con resistenza di carico da 10 MΩ

Stabilità termica: tasso di variazione del d3s < +5% a -40 °C ~ 85 °C

Campo Soluzione per Applicazioni Vantaggio
Monitoraggio industriale Rilevamento dell’usura dei cuscinetti, rilevamento della rottura del filato Ampia risposta in frequenza (0,1–10 kHz)
Trasporto intelligente Sistemi piezoelettrici a cavo per la classificazione dei veicoli Linearità ±0,5%, protezione IP68
Dispositivi medici Sonde per imaging ultrasonico; monitoraggio della frequenza cardiaca e della respirazione Flessibile, applicabile come patch, leggero, ad alta sensibilità
Elettronica di Consumo Pickup per strumenti musicali, feedback aptico indossabile Spessore < 0,2 mm, raggio di curvatura 5 mm

Configurazione del circuito consigliata

Impedenza di ingresso consigliata: >100 MΩ (amplificatore di carica)

Tipo di cavo: cavo coassiale a doppia schermatura (capacità <50 pF/m)

Design antinterferenza

Uscita differenziale utilizzata per sopprimere il rumore piroelettrico

Disposizione dell'elettrodo di offset che previene la rottura da alta tensione

Standard di Affidabilità

Cicli di vita per fatica meccanica: >10⁶ cicli a deformazione del 10%

- Prova di umidità calda: 85 °C / 85% UR per 1000 ore, deriva dei parametri <3%

Certificazioni: RoHS, REACH, ISO 13485 per uso medico

Supporta le seguenti progettazioni non standard:

Configurazioni personalizzate degli elettrodi (incisione laser / deposizione con maschera)

Circuiti integrati per il condizionamento del segnale in uscita

Integrazione eterogenea film-silicio (processo MEMS)

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